Breaking News
อุปกรณ์ SSD ขนาดเท่าแท่งหมากฝรั่งมีความจุได้สูงกว่า 3.5 เทราไบต์

ไมครอนจับมืออินเทล เปิดตัวหน่วยความจำแฟลชแบบ 3D NAND

ไมครอนจับมืออินเทล เปิดตัวหน่วยความจำแฟลชแบบ 3D NAND

ความจุ[1]สูงกว่าเทคโนโลยี NAND มาตรฐานอื่นถึงสามเท่าตัว

 ประเด็นสำคัญ

  • เทคโนโลยี 3D NAND ใช้เซลล์หน่วยความจำแบบ floating gate เพื่อความหนาแน่นในการจัดเก็บข้อมูลที่สูงสุดเป็นประวัติการณ์ โดยคิดเป็นความจุ1ถึงสามเท่าตัวของชิป NAND แบบอื่นๆ ที่ใช้งานกันอยู่ในปัจจุบัน
  • สามารถนำมาพัฒนาอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลเอสเอสดี (SSD) ที่มีขนาดเล็กเพียงแท่งหมากฝรั่ง แต่กลับมีความจุสูงถึง 3.5 เทราไบต์ (Terabytes) และอุปกรณ์ SSD ขนาดมาตรฐานที่สามารถมีความจุเกินกว่า 10 เทราไบต์
  • สถาปัตยกรรมและกระบวนการผลิตที่ล้ำยุคตามกฎของมัวร์ได้ก้าวเข้าสู่ผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลช 3D NAND ทำให้มีการพัฒนาสมรรถนะให้ดีขึ้นอย่างมาก พร้อมด้วยความจุที่สูงขึ้นและราคาที่ต่ำลง

สื่อประกอบข่าว:

บอยส์, ไอดาโฮ และซานตา คลาร่า, รัฐแคลิฟอร์เนีย, สหรัฐอเมริกา , 2 เมษายน 2558 – ไมครอน เทคโนโลยี อิงค์ (NASDAQ: MU) และอินเทล คอร์ปอเรชั่น ได้ประกาศเปิดตัวเทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลชแบบ 3D NAND ซึ่งมีความจุสูงที่สุดในโลก โดยปัจจุบัน หน่วยความจำแฟลชเป็นเทคโนโลยีการจัดเก็บข้อมูลที่นิยมใช้กันทั้งในแล็ปท็อปน้ำหนักเบา ศูนย์ข้อมูลความเร็วสูง โทรศัพท์มือถือ แท็บเล็ต และอุปกรณ์พกพาแทบทุกเครื่องทั่วโลก

เทคโนโลยีล่าสุดนี้พัฒนาขึ้นโดยความร่วมมือของอินเทลและไมครอน เป็นการนำเอาเซลล์เก็บข้อมูลมาวางซ้อนกันหลายชั้นในแนวตั้ง จนเกิดเป็นหน่วยความจำที่มีความจุ1สูงกว่าเทคโนโลยี NAND แบบอื่นๆ ถึงสามเท่าตัว หน่วยความจำแฟลชที่ใช้เทคโนโลยี 3D NAND จะจุข้อมูลได้มากกว่า ในขนาดที่เล็กลง จึงทำให้สามารถลดต้นทุนและการใช้พลังงานลง ควบคู่ไปกับการเพิ่มประสิทธิภาพในทุกรูปแบบการใช้งาน นับตั้งแต่อุปกรณ์พกพาที่ผู้บริโภคใช้งานโดยทั่วไป จนถึงระบบไอทีขนาดใหญ่ในองค์กร

ปัจจุบัน ได้มีการพัฒนาเทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลชแบบแนวราบมาจนใกล้จะถึงขีดสุด ทำให้เป็นความท้าทายครั้งใหญ่ในอุตสาหกรรมหน่วยความจำ เทคโนโลยี 3D NAND จะก้าวเข้ามาพลิกโฉมให้เทคโนโลยีหน่วยความจำให้ก้าวหน้าต่อไปตามกฎของมัวร์ ซึ่งเป็นกฎที่คาดการณ์ความเร็วในการพัฒนาประสิทธิภาพของชิปต่างๆ ควบคู่ไปกับการลดค่าใช้จ่ายในการผลิตลง อันจะช่วยให้มีการใช้งานเทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลชกันอย่างกว้างขวางยิ่งขึ้นไปอีก

“ความร่วมมือระหว่างไมครอนและอินเทลในครั้งนี้ ได้พัฒนาให้เกิดเทคโนโลยีหน่วยความจำแบบโซลิด สเตท ที่มีประสิทธิภาพโดดเด่นทั้งในด้านความจุ ความเร็ว และการใช้พลังงาน เหนือกว่าหน่วยความจำแฟลชแบบที่มีอยู่ ในตลาดณ ปัจจุบัน” นายไบรอัน เชอร์ลี่ย์ รองประธานฝ่ายเทคโนโลยีและโซลูชั่นหน่วยความจำของไมครอน เทคโนโลยี กล่าว “มีความเป็นไปได้อย่างยิ่งที่เทคโนโลยี 3D NAND นี้จะสร้างความเปลี่ยนแปลงที่สำคัญในตลาด เพราะหน่วยความจำแฟลชที่ใช้งานกันอยู่ในปัจจุบัน นับตั้งแต่ในสมาร์ทโฟนไปจนถึงระดับซุเปอร์คอมพิวเตอร์ ยังสามารถพัฒนาต่อยอดไปได้อีกมาก”

“ความร่วมมือระหว่างอินเทลกับไมครอนในครั้งนี้ เป็นสิ่งสะท้อนถึงความมุ่งมั่นของเราในการนำเสนอเทคโนโลยีหน่วยความจำแบบถาวรที่มีสมรรถนะสูงขึ้นอย่างต่อเนื่อง” นายร็อบ ครุก รองประธานอาวุโสและผู้จัดการทั่วไป กลุ่มโซลูชั่นหน่วยความจำถาวรของอินเทล กล่าวเสริม “ความจุที่เพิ่มขึ้นอย่างมากและราคาที่ต่ำลงของเทคโนโลยี 3D NAND จะเป็นแรงขับเคลื่อนการพัฒนาหน่วยความจำแบบโซลิด-สเตทในอุปกรณ์ประมวลผลต่อไปในอนาคต”

นวัตกรรมล่าสุดด้านสถาปัตยกรรมของหน่วยประมวลผล

หนึ่งในจุดที่น่าสนใจที่สุดของเทคโนโลยีนี้ก็คือโครงสร้างของหน่วยความจำ ซึ่งเป็นการประยุกต์เอาเซลล์มาตรฐานแบบ floating gate ที่ใช้กันอย่างแพร่หลาย มาจัดวางใน3D NAND เป็นครั้งแรก เพื่อให้หน่วยความจำมีประสิทธิภาพ ความจุ และความเสถียรสูงขึ้น

เทคโนโลยีหน่วยความจำแบบ 3D NAND รุ่นใหม่นี้เป็นการนำเอาเซลล์หน่วยความจำแฟลชมาจัดเรียงในแนวตั้งกว่า 32 ชั้น จนเกิดเป็นดาย (Die) ภายในแพ็คเกจเดียวแบบ MLC (multilevel cell) ความจุ 256 กิ๊กกะบิต และ TLC (triple-level cell) ความจุ 384 กิ๊กกะบิต คุณสมบัติเหล่านี้ จะทำให้เกิด SSD ขนาดเท่าแท่งหมากฝรั่งมีความจุได้สูงกว่า 3.5 เทราไบต์ และ SSD ขนาด 2.5 นิ้วที่ใช้กันทั่วไป และสามารถมีความจุได้เกินกว่า 10 เทราไบต์ ทั้งนี้ เนื่องจากความจุที่เพิ่มขึ้นของเทคโนโลยี 3D NAND มาจากการเรียงเซลล์หน่วยความจำซ้อนกันในแนวตั้ง จึงทำให้ขนาดของแต่ละเซลล์ในแนวราบยังสามารถขยายใหญ่ขึ้นได้อีกมาก ดังนั้น ผลิตภัณฑ์หน่วยความจำที่ใช้เทคโนโลยีนี้จึงสามารถพัฒนาให้มีความทนทานและสมรรถนะสูงขึ้นได้อีกมาก และอาจทำให้โครงสร้างแบบ TLC สามารถนำมาปรับใช้งานให้เหมาะสมกับโซลูชั่นหน่วยความจำในศูนย์ข้อมูลได้อีกด้วย

คุณสมบัติเด่นของเทคโนโลยี 3D NAND มีดังต่อไปนี้:

  • ความจุสูงสามารถจุข้อมูลได้สูงกว่าเทคโนโลยีหน่วยความจำแบบ 3D อื่นๆ ในปัจจุบัน ได้ถึงสามเท่าตัว1 หรือเท่ากับความจุ 48 กิ๊กกะไบต์ต่อหนึ่งดาย ซึ่งเท่ากับว่าอุปกรณ์หน่วยความจำที่มีขนาดเพียงปลายนิ้วจะสามารถจุข้อมูลได้กว่า ¾ เทราไบต์ (ราว 750 กิกะไบต์)
  • ราคาต่อกิ๊กกะไบต์ที่ต่ำลง –หน่วยความจำแบบ 3D NAND ในรุ่นแรกนี้ ได้รับการออกแบบมาเพื่อให้มีอัตราส่วนระหว่างราคากับความจุที่คุ้มค่ากว่าหน่วยความจำ NAND แนวราบทั่วไป
  • ความเร็วสูง – โดดเด่นทั้งในด้านแบนด์วิธการอ่านและเขียนข้อมูล ความเร็วในการถ่ายโอนข้อมูลเข้าออก และการสุ่มหาข้อมูลในตำแหน่งต่างๆ ทั่วทั้งไดรฟ์
  • ประหยัดพลังงาน – สามารถทำงานในโหมดใช้พลังงานต่ำได้ โดยตัดการจ่ายไฟเข้าสู่ดาย NAND ที่ไม่ได้ใช้งานอยู่ (แม้ว่าดายตัวอื่นๆในแพ็คเกจเดียวกันยังคงทำงานอยู่) จึงสามารถลดการใช้พลังงานลงได้อย่างมากในขณะสแตนด์บาย
  • นวัตกรรมอัจฉริยะ – เทคโนโลยีใหม่ล่าสุดที่ลดระยะเวลาในการเข้าถึงข้อมูล ทั้งยังทำให้หน่วยความจำมีความทนทานสูง ใช้งานได้ยาวนานขึ้น และยังช่วยให้การติดตั้งและวางระบบง่ายขึ้นอีกด้วย

ทั้งนี้อินเทลและไมครอนได้ส่งผลิตภัณฑ์3D NAND รุ่น MLC 256 กิ๊กกะบิท ชุดทดลองให้พันธมิตรบางรายแล้ว ส่วนรุ่น TLC 384 กิ๊กะบิทจะเริ่มมีตัวทดลองในช่วงฤดูใบไม้ผลินี้ โดยสายการผลิตหน่วยความจำทั้งสองรุ่นได้เริ่มผลิตชุดแรกแล้ว ก่อนจะเดินหน้าผลิตแบบเต็มกำลังภายในช่วงไตรมาสสุดท้ายของปีนี้ นอกจากนี้ ไมครอนและอินเทลกำลังร่วมกันพัฒนาอุปกรณ์ SSD แบบ 3D NAND เพื่อวางจำหน่ายภายในปี 2559

สถาปัตยกรรมและกระบวนการผลิตที่ล้ำยุคช่วยให้ 3D NAND ยังคงพัฒนาสมรรถนะได้อย่างรวดเร็วตามกฎของมัวร์ต่อไป ด้วยความจุที่สูงขึ้นและราคาที่ต่ำลง
สถาปัตยกรรมและกระบวนการผลิตที่ล้ำยุคช่วยให้ 3D NAND ยังคงพัฒนาสมรรถนะได้อย่างรวดเร็วตามกฎของมัวร์ต่อไป ด้วยความจุที่สูงขึ้นและราคาที่ต่ำลง
อุปกรณ์ SSD ขนาดเท่าแท่งหมากฝรั่งมีความจุได้สูงกว่า 3.5 เทราไบต์
อุปกรณ์ SSD ขนาดเท่าแท่งหมากฝรั่งมีความจุได้สูงกว่า 3.5 เทราไบต์

ติดตามความเคลื่อนไหวของเราได้ทางช่องทางออนไลน์ดังนี้:

ไมครอน

ร่วมถกประเด็นร้อนด้านการจัดเก็บข้อมูลและหน่วยความจำกับไมครอนได้ที่

 อินเทล

แลกเปลี่ยนความคิดเห็นเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ SSD ได้บนช่องทางโซเชียลมีเดียของอินเทล ดังนี้:

ไมครอน เทคโนโลยี อิงค์

ไมครอน เทคโนโลยี อิงค์ เป็นผู้นำระดับโลกด้านระบบเซมิคอนดักเตอร์ขั้นสูง โดยเทคโนโลยีหน่วยความจำสมรรถนะสูงของไมครอน ทั้งในมาตรฐาน DRAM, NAND และ NOR แฟลช เป็นองค์ประกอบหลักของอุปกรณ์ SSD แผงชิปหน่วยความจำ และโซลูชั่นอื่นๆ มากมาย ด้วยประสบการณ์ในฐานะผู้นำด้านเทคโนโลยีกว่า 35 ปี โซลูชั่นหน่วยความจำของไมครอนจึงเป็นรากฐานสำคัญอยู่ภายใต้ระบบคอมพิวเตอร์ เครื่องใช้ต่างๆ ระบบจัดเก็บข้อมูลระดับองค์กร เครือข่าย อุปกรณ์พกพา อุปกรณ์แบบฝัง และอุปกรณ์ยานยนต์ ทั้งนี้ ไมครอนเป็นบริษัทจดทะเบียนในตลาดหุ้น NASDAQ ภายใต้สัญลักษณ์ MU ผู้สนใจสามารถค้นหาข้อมูลเกี่ยวกับไมครอน เทคโนโลยี อิงค์ ได้ที่เว็บไซต์ www.micron.com

เกี่ยวกับอินเทล

อินเทล เป็นผู้นำในด้านนวัตกรรมการประมวลผล รวมทั้งการออกแบบ และสร้างสรรค์เทคโนโลยีที่เป็นพื้นฐานการพัฒนาอุปกรณ์ประมวลผลระดับโลก ในฐานะของบริษัทที่เป็นผู้นำในบรรษัทภิบาลและการพัฒนาอย่างยั่งยืน อินเทลจึงใช้แร่ธาตุจากแหล่งที่มาที่ปราศจากความขัดแย้ง (Conflict-free) เพื่อผลิตอุปกรณ์ประมวลผลที่มีวางจำหน่ายเป็นรายแรกข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับอินเทล สามารถเข้าชมได้ที่newsroom.intel.com, blogs.intel.com, ทวิตเตอร์ @Intelthailand, เฟสบุ๊ค IntelThailand และ conflictfree.intel.com

*ชื่อและยี่ห้ออื่นอาจถูกอ้างอิงถึงโดยถือเป็นทรัพย์สินของชื่อยี่ห้อนั้นๆ

[1] Capacity difference based on comparison between Micron and Intel 384 Gb TLC 3D NAND die and other industry 3D NAND TLC

About ข่าวไอที 24 ชั่วโมง

ข่าวไอที 24 ชั่วโมง ข่าวไอที ข่าว IT ข่าวเทคโนโลยี สินค้าไอทีมาใหม่ รีวิวสินค้าไอที

Check Also

โปรเซสเซอร์ AMD EPYC™ รุ่นที่ 2 เสริมประสิทธิภาพการประมวลผลให้กับเครื่องเซิร์ฟเวอร์ IBM Cloud Bare Metal Server รุ่นใหม่

โปรเซสเซอร์ AMD …

%d bloggers like this: