Breaking News
Home / ข่าวไอที / สินค้ามาใหม่ / Toshiba Electronic Devices & Storage Corporationเปิดตัว MOSFET แบบคู่ขนาดเล็กสำหรับไดรเวอร์รีเลย์

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporationเปิดตัว MOSFET แบบคู่ขนาดเล็กสำหรับไดรเวอร์รีเลย์

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporationเปิดตัว MOSFET แบบคู่ขนาดเล็กสำหรับไดรเวอร์รีเลย์

โตเกียว–(BUSINESS WIRE)–29 มกราคม 2018

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ประกาศเปิดตัวMOSFET ใหม่ รุ่น “SSM6N357R”ในวันนี้ ที่มีไดโอดในตัวระหว่างเดรน (drain) กับ gate terminals โดยอุปกรณ์ตัวนี้เหมาะสำหรับการขับขี่อุปนัยเช่นรีเลย์กล การจัดส่งสินค้าเริ่มต้นตั้งแต่วันนี้

ข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้มีคุณลักษณะเป็นมัลติมีเดีย ดูฉบับเต็มได้ที่นี่: http://www.businesswire.com/news/home/20180128005099/en/

MOSFET คู่ขนาดเล็กสำหรับไดรเวอร์รีเลย์ รุ่น “SSM6N357R ของ Toshiba Electronic Devices & Storage Corp (ภาพ: Business Wire)

SSM6N357R ประกอบด้วยตัวต้านทานแบบดึงลง, ตัวต้านทานแบบและไดโอด Zener ซึ่งช่วยลดจำนวนชิ้นส่วนและประหยัดพื้นที่ในบอร์ด และเนื่องจากเป็นผลิตภัณฑ์แพ็คเกจแบบคู่ (2 ใน 1) จึงมีพื้นที่ติดตั้งขนาดเล็กลง 42% เมื่อเทียบกับการใช้แพ็คเกจแบบเดี่ยว SSM3K357R (2.4 x 2.9 x 0.8 มม.) จำนวนสองชุด

แพ็คเกจ TSOP6F มาตรฐานอุตสาหกรรมมีแรงดันไฟฟ้าต่ำที่ 3.0V และคุณสมบัติแบบ AEC-Q101 ทำให้ SSM6N357R เหมาะสำหรับรถยนต์และการใช้งานอื่น ๆ

การใช้งาน

·  การควบคุมแบบรีเลย์และ ขดลวดแม่เหล็กไฟฟ้าสำหรับงานยานยนต์

·  การควบคุมแบบรีเลย์และ ขดลวดแม่เหล็กไฟฟ้าสำหรับการใช้งานอุตสาหกรรม

·  การควบคุมคลัทช์สำหรับอุปกรณ์ OA

คุณลักษณะอื่น ๆ

·  พื้นที่บอร์ดและจำนวนชิ้นส่วนลดลง(รีซิสเตอร์แบบดึงลง, รีซิสเตอร์แบบชุด และไดโอด Zener)

·  แรงดันไฟฟ้าที่ใช้งานต่ำ 3.0 V

·  แพ็คเกจแบบคู่ (2 อิน 1)

·  ได้รบรองมาตรฐาน AEC-Q101

คุณสมบัติหลัก
 (Ta=25°C)
รายการ คุณลักษณะ
อัตราสูงสุดสัมบูรณ์ แรงดันแหล่งจ่ายไฟ(Drain-source voltage)

VDSS (V)

60
แรงดันไฟฟ้า Gate-source

VGSS (V)

±12
แรงดันเดรน Drain current

ID (A)

0.65
คุณสมบัติทางไฟฟ้า รีซีสแตนซ์เดรนซอร์ส Drain-source on-resistance

RDS(ON) สูงสุด (mΩ)

|VGS|=3.0V 2400
|VGS|=5.0V 1800
เกตชาร์จทั้งหมดTotal gate charge

Qg typ. (nC)

1.5
อินพุตคาปาซิแตนซ์ Input capacitance

Ciss typ. (pF)

43
แพ็คเกจ TSOP6F 2.9mm×2.8mm; t=0.8mm

ตามลิงค์ด้านล่างสำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับ MOSFETs ต่ำสุดที่มีความต้านทานต่ำของ
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/mosfet/small-mosfet.html

ติดต่อสอบถามสำหรับลูกค้า:
Small Signal Device Sales & Marketing Department
โทร: +81-3-3457-3411
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html

* ข้อมูลในเอกสารฉบับนี้รวมถึงราคาและข้อกำหนดของผลิตภัณฑ์เนื้อหาบริการและข้อมูลการติดต่อเป็นข้อมูลปัจจุบัน ณ วันที่ประกาศ แต่อาจมีการเปลี่ยนแปลงได้โดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า

เกี่ยวกับ

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (TDSC) รวมความแข็งแกร่งของบริษัทใหม่เข้ากับภูมิปัญญาและประสบการณ์ โดยนับตั้งแต่ได้รับการเปิดตัวจากบริษัทโตชิบาในเดือนกรกฎาคม 2017 เราได้ก้าวเข้ามาเป็นหนึ่งในบริษัทอุปกรณ์ทั่วไปชั้นนำและนำเสนอโซลูชันที่โดดเด่นให้แก่ลูกค้า และคู่ค้าทางธุรกิจในธุรกิจเซมิคอนดักเตอร์แบบแยกตัวระบบ LSI และ HDD

พนักงานของเราจำนวน 19,000 คนทั่วโลกมีความมุ่งมั่นที่จะเพิ่มมูลค่าให้กับผลิตภัณฑ์ของเราและให้ความสำคัญกับการทำงานร่วมกันอย่างใกล้ชิดกับลูกค้าเพื่อส่งเสริมการร่วมสร้างสรรค์มูลค่าและตลาดใหม่ ๆ เราหวังเป็นอย่างยิ่งที่จะสร้างยอดขายรายปีในขณะนี้สูงกว่า 700 พันล้านเยน (6 พันล้านเหรียญสหรัฐ) เพื่อเอื้อให้เกิดอนาคตที่ดีขึ้นสำหรับทุกคนทุกที่

อ่านเพิ่มเติมเกี่ยวกับเราได้ที่ https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company.html

ดูเวอร์ชันต้นฉบับบน businesswire.comhttp://www.businesswire.com/news/home/20180128005099/en/

Related posts

About ข่าวไอที 24 ชั่วโมง

ข่าวไอที 24 ชั่วโมง ข่าวไอที ข่าว IT ข่าวเทคโนโลยี สินค้าไอทีมาใหม่ รีวิวสินค้าไอที

Check Also

ชไนเดอร์ อิเล็คทริค แนะนำโซลูชั่นสวิตช์ตัดต่อวงจรไฟฟ้าอัตโนมัติ สำหรับอุตสาหกรรมขนาดกลางและเล็ก

ชไนเดอร์ อิเล็ค …

%d bloggers like this: